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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
14.4
18.1
写入速度,GB/s
9.8
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2600
3172
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB RAM的比较
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
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