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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
65
左右 57% 更低的延时
需要考虑的原因
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
65
读取速度,GB/s
12.7
17.0
写入速度,GB/s
7.5
9.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2058
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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