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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
80
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
80
读取速度,GB/s
12.7
14.1
写入速度,GB/s
7.5
7.4
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1564
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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