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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.7
16.3
写入速度,GB/s
7.5
11.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2918
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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