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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
20.6
写入速度,GB/s
7.5
15.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3593
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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