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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
18.3
写入速度,GB/s
7.5
14.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3691
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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