RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
18.1
写入速度,GB/s
7.5
13.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3299
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link