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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB 需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    18.8 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 8500
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 18.8
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3637

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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内存RAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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内存RAM
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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