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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.7
19.0
写入速度,GB/s
7.5
13.8
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3331
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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