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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
17.4
写入速度,GB/s
7.5
13.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3049
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
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