RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3049
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link