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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
17.0
写入速度,GB/s
7.5
12.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3255
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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