RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3255
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link