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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
42
读取速度,GB/s
12.7
13.9
写入速度,GB/s
7.5
11.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2034
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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