RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 42
    周辺 33% 低遅延
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB 考慮すべき理由
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.0 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 8500
    周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 2034

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
メモリRAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
メモリRAM