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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
16.6
写入速度,GB/s
7.5
13.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3049
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
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