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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
21.9
写入速度,GB/s
7.5
16.3
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3650
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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