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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
101
左右 73% 更低的延时
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.7
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
101
读取速度,GB/s
10.1
12.1
写入速度,GB/s
6.2
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
1382
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM的比较
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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