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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.7
19.2
写入速度,GB/s
7.5
11.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3256
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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