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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.7
8.9
写入速度,GB/s
7.5
6.9
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2206
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB RAM的比较
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
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