RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2206
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link