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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
96
左右 71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
96
读取速度,GB/s
12.7
10.5
写入速度,GB/s
7.5
5.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1211
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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