RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
96
Por volta de 71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
5.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
96
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
5.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1211
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link