RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
104
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
15.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3650
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link