RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
104
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3650
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link