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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
16.6
写入速度,GB/s
7.5
12.9
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3067
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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