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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.7
16.7
写入速度,GB/s
7.5
12.3
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2584
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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