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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
46
读取速度,GB/s
12.7
16.0
写入速度,GB/s
7.5
12.4
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2660
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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