RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de 39% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
46
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2660
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link