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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.7
16.0
写入速度,GB/s
7.5
12.7
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3127
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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