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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
12.7
18.1
写入速度,GB/s
7.5
12.3
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2580
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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