RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2580
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link