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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
50
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
50
读取速度,GB/s
12.7
10.2
写入速度,GB/s
7.5
7.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2064
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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