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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
50
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2064
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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