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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
17
读取速度,GB/s
12.7
21.6
写入速度,GB/s
7.5
18.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3528
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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