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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
14.4
16.5
写入速度,GB/s
9.5
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3160
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
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