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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
14.4
21.6
写入速度,GB/s
9.5
16.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3994
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
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