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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
12.3
14.1
写入速度,GB/s
8.9
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2450
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
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