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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
54
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
36
读取速度,GB/s
9.2
14.4
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2490
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
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