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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
9.2
13.4
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2045
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
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