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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
14.4
12.3
写入速度,GB/s
9.5
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2689
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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