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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
35
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
20
读取速度,GB/s
14.4
19.9
写入速度,GB/s
9.5
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3558
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
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