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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
31
读取速度,GB/s
14.4
15.5
写入速度,GB/s
9.5
12.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2819
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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