RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2819
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link