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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

总分
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 51
    左右 31% 更低的延时
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.5 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 51
  • 读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2321 left arrow 2778

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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