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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
7.2
18.1
写入速度,GB/s
3.0
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
3663
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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