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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
14.4
15.7
写入速度,GB/s
9.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2779
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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