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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
14.4
15.6
写入速度,GB/s
9.5
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2562
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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