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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
71
左右 -344% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.2
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
16
读取速度,GB/s
2,831.6
22.2
写入速度,GB/s
1,322.6
17.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3834
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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