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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
14.4
18.8
写入速度,GB/s
9.5
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3690
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Mushkin 991981 (996981) 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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